TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB

Punteggio complessivo
star star star star star
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Punteggio complessivo
star star star star star
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB

Differenze

  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    3 left arrow 15.9
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    870.4 left arrow 10.9
    Valore medio nei test
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    29 left arrow 87
    Intorno -200% latenza inferiore
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    17000 left arrow 5300
    Intorno 3.21 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    87 left arrow 29
  • Velocità di lettura, GB/s
    3,155.6 left arrow 15.9
  • Velocità di scrittura, GB/s
    870.4 left arrow 10.9
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    5300 left arrow 17000
Other
  • Descrizione
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    417 left arrow 3105
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Ultimi confronti