RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Confronto
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Punteggio complessivo
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
17.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
870.4
14.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
87
Intorno -211% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
23400
5300
Intorno 4.42 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
87
28
Velocità di lettura, GB/s
3,155.6
17.4
Velocità di scrittura, GB/s
870.4
14.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
23400
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
417
3419
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link