RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Confronto
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Punteggio complessivo
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
10.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
870.4
8.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
49
87
Intorno -78% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
87
49
Velocità di lettura, GB/s
3,155.6
10.9
Velocità di scrittura, GB/s
870.4
8.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
417
2413
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Kingston 9905458-009.A00LF 2GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Kingston 99U5469-048.A00LF 4GB
SK Hynix HMT451U6MFR8C-PB 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link