RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Confronto
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Punteggio complessivo
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
10
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
870.4
7.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
52
87
Intorno -67% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
87
52
Velocità di lettura, GB/s
3,155.6
10.0
Velocità di scrittura, GB/s
870.4
7.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
417
2306
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Segnala un bug
×
Bug description
Source link