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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Confronto
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Punteggio complessivo
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
17.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
53
Intorno -96% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.2
1,590.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
53
27
Velocità di lettura, GB/s
3,726.4
17.8
Velocità di scrittura, GB/s
1,590.1
13.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 14 15
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
522
3337
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Confronto tra le RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
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