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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Confronto
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Punteggio complessivo
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
18.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
53
Intorno -89% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.4
1,590.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
53
28
Velocità di lettura, GB/s
3,726.4
18.5
Velocità di scrittura, GB/s
1,590.1
14.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
522
3540
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Confronto tra le RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
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