RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Confronto
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Punteggio complessivo
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Punteggio complessivo
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
16.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
53
Intorno -77% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.7
1,590.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
53
30
Velocità di lettura, GB/s
3,726.4
16.7
Velocità di scrittura, GB/s
1,590.1
13.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
522
3254
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Confronto tra le RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link