RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Confronto
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Punteggio complessivo
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
15.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
53
Intorno -71% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.2
1,590.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
53
31
Velocità di lettura, GB/s
3,726.4
15.4
Velocità di scrittura, GB/s
1,590.1
11.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
522
2447
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Confronto tra le RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2800C16 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link