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TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Confronto
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB vs Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Punteggio complessivo
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Punteggio complessivo
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
32
Intorno 22% latenza inferiore
Motivi da considerare
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.3
12.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.4
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
32
Velocità di lettura, GB/s
12.5
17.3
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
13.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2180
3422
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
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