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Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Confronto
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB vs Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Punteggio complessivo
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
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Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
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Motivi da considerare
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.1
13.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.0
11.0
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
33
33
Velocità di lettura, GB/s
13.6
16.1
Velocità di scrittura, GB/s
11.0
13.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
25600
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2608
2987
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT102464BD160B 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
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