RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Confronto
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Punteggio complessivo
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
39
Intorno 36% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.6
7.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.2
6.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
39
Velocità di lettura, GB/s
12.6
7.7
Velocità di scrittura, GB/s
7.2
6.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2051
1768
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB Confronto tra le RAM
Team Group Inc. Xtreem-LV-2133 4GB
Kingston KHX1866C10S3L/8G 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link