RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB

総合得点
star star star star star
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

総合得点
star star star star star
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB

Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB 考慮すべき理由
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
バグを報告する
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB 考慮すべき理由
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    28 left arrow 94
    周辺 -236% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.2 left arrow 1
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.3 left arrow 1,165.4
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 6400
    周辺 3.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    94 left arrow 28
  • 読み出し速度、GB/s
    1,882.0 left arrow 16.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,165.4 left arrow 12.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    305 left arrow 2487

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB RAMの比較

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB

Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
メモリRAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
メモリRAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
メモリRAM
AMD R5316G1609U2K 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
メモリRAM
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
メモリRAM
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
メモリRAM
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
メモリRAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
メモリRAM
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
メモリRAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
メモリRAM
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
メモリRAM
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
メモリRAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
メモリRAM