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AMD AE34G1601U1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
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AMD AE34G1601U1 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
総合得点
AMD AE34G1601U1 4GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
相違点
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考慮すべき理由
AMD AE34G1601U1 4GB
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考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
30
67
周辺 -123% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
10
6.8
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
8.5
3.6
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
12800
周辺 1.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
AMD AE34G1601U1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
67
30
読み出し速度、GB/s
6.8
10.0
書き込み速度、GB/秒
3.6
8.5
メモリ帯域幅、mbps
12800
17000
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
998
2234
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RAM 2
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Frequency (Mhz) *
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