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Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB

Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB vs SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB

総合得点
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Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB

Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB

総合得点
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SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB

SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB 考慮すべき理由
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
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SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB 考慮すべき理由
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    22 left arrow 38
    周辺 -73% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.8 left arrow 13.9
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    14.8 left arrow 8.7
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 10600
    周辺 2.01 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    38 left arrow 22
  • 読み出し速度、GB/s
    13.9 left arrow 16.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.7 left arrow 14.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2106 left arrow 3296

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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
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メモリRAM
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
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Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
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メモリRAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
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Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
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メモリRAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Kingston X2YH1K-MIE 16GB
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メモリRAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
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メモリRAM
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
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Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
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