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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
比較する
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
総合得点
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
総合得点
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
17
18
周辺 6% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
22.8
20.7
テスト平均値
考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
バグを報告する
書き込み速度の高速化、GB/s
16.4
15.4
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
10600
周辺 1.6 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
17
18
読み出し速度、GB/s
22.8
20.7
書き込み速度、GB/秒
15.4
16.4
メモリ帯域幅、mbps
10600
17000
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
3391
3722
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
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