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Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
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Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB vs Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
総合得点
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
総合得点
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
相違点
仕様
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考慮すべき理由
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
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考慮すべき理由
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
20
39
周辺 -95% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
19
14
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
15.5
9.0
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
10600
周辺 1.6 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
39
20
読み出し速度、GB/s
14.0
19.0
書き込み速度、GB/秒
9.0
15.5
メモリ帯域幅、mbps
10600
17000
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2489
3549
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
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G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
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