RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
比較する
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB vs G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
総合得点
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
総合得点
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
18
28
周辺 36% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
20.5
18.5
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
16.4
15.6
テスト平均値
考慮すべき理由
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
バグを報告する
仕様
技術仕様の完全リスト
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
18
28
読み出し速度、GB/s
20.5
18.5
書き込み速度、GB/秒
16.4
15.6
メモリ帯域幅、mbps
21300
21300
Other
商品説明
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
タイミング / クロック速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
3530
3704
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB RAMの比較
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C15 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
バグを報告する
×
Bug description
Source link