RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB vs Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

総合得点
star star star star star
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB

G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB

総合得点
star star star star star
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    26 left arrow 41
    周辺 37% 低遅延
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB 考慮すべき理由
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    13.3 left arrow 12.9
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.0 left arrow 8.6
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    26 left arrow 41
  • 読み出し速度、GB/s
    12.9 left arrow 13.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.6 left arrow 9.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2128 left arrow 2016

G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB RAMの比較

SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB RAMの比較

Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

AMD R5S38G1601U2S 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
メモリRAM
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
メモリRAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
メモリRAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
メモリRAM
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
メモリRAM
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
メモリRAM
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
メモリRAM
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
メモリRAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
メモリRAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
メモリRAM