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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
総合得点
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
総合得点
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
28
30
周辺 7% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
18.2
17.8
テスト平均値
考慮すべき理由
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
バグを報告する
書き込み速度の高速化、GB/s
13.5
11.5
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
10600
周辺 1.6 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
28
30
読み出し速度、GB/s
18.2
17.8
書き込み速度、GB/秒
11.5
13.5
メモリ帯域幅、mbps
10600
17000
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
3067
3273
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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