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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Kingston K6VDX7-HYD 8GB
総合得点
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
総合得点
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
28
30
周辺 7% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
18.2
13.5
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
11.5
7.2
テスト平均値
考慮すべき理由
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
バグを報告する
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
10600
周辺 2.42 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
28
30
読み出し速度、GB/s
18.2
13.5
書き込み速度、GB/秒
11.5
7.2
メモリ帯域幅、mbps
10600
25600
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
3067
2154
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB RAMの比較
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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