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G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
比較する
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB vs G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
総合得点
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
総合得点
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
24
19.6
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
20.0
15.5
テスト平均値
考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
20
29
周辺 -45% 低遅延
仕様
技術仕様の完全リスト
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
29
20
読み出し速度、GB/s
24.0
19.6
書き込み速度、GB/秒
20.0
15.5
メモリ帯域幅、mbps
17000
17000
Other
商品説明
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
タイミング / クロック速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
4156
3234
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB RAMの比較
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
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SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
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Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
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