RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB

総合得点
star star star star star
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

総合得点
star star star star star
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB

Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB 考慮すべき理由
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 15.4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    2,066.5 left arrow 10.3
    テスト平均値
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB 考慮すべき理由
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    28 left arrow 49
    周辺 -75% 低遅延
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 6400
    周辺 4 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    49 left arrow 28
  • 読み出し速度、GB/s
    4,577.1 left arrow 15.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,066.5 left arrow 10.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 25600
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    737 left arrow 2892

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB RAMの比較

Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB

Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
メモリRAM
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
メモリRAM
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
メモリRAM
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
メモリRAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
メモリRAM
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
メモリRAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
メモリRAM
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
メモリRAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
メモリRAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
メモリRAM