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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB

総合得点
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

総合得点
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Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB

Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB 考慮すべき理由
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    27 left arrow 31
    周辺 13% 低遅延
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB 考慮すべき理由
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    21.4 left arrow 16.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    16.2 left arrow 11.8
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    27 left arrow 31
  • 読み出し速度、GB/s
    16.7 left arrow 21.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    11.8 left arrow 16.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2756 left arrow 3809

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Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
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Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
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G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
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Team Group Inc. UD5-6400 16GB
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Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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