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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB

総合得点
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

総合得点
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Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB

Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB 考慮すべき理由
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    27 left arrow 39
    周辺 31% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.7 left arrow 14.3
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.8 left arrow 10.8
    テスト平均値
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB 考慮すべき理由
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
バグを報告する

仕様

技術仕様の完全リスト
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    27 left arrow 39
  • 読み出し速度、GB/s
    16.7 left arrow 14.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    11.8 left arrow 10.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2756 left arrow 2159

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Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
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メモリRAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
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G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
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Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
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Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
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メモリRAM
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
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Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
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メモリRAM
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
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