RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
比較する
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
総合得点
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
バグを報告する
考慮すべき理由
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
31
35
周辺 -13% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
15.7
9.8
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
13.3
7.9
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
17000
周辺 1.25 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
35
31
読み出し速度、GB/s
9.8
15.7
書き込み速度、GB/秒
7.9
13.3
メモリ帯域幅、mbps
17000
21300
Other
商品説明
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2126
3318
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB RAMの比較
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link