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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
総合得点
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
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考慮すべき理由
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
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読み出し速度の高速化、GB/s
18.5
12.4
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
15.7
9.6
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
12800
周辺 1.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
28
28
読み出し速度、GB/s
12.4
18.5
書き込み速度、GB/秒
9.6
15.7
メモリ帯域幅、mbps
12800
17000
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2329
3601
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