RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
比較する
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
総合得点
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
28
42
周辺 33% 低遅延
考慮すべき理由
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
15.7
12.4
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.4
9.6
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
12800
周辺 2 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
28
42
読み出し速度、GB/s
12.4
15.7
書き込み速度、GB/秒
9.6
12.4
メモリ帯域幅、mbps
12800
25600
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2329
2352
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB RAMの比較
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link