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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB vs Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

総合得点
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB

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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB 考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    29 left arrow 47
    周辺 38% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    12 left arrow 9.3
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.1 left arrow 5.9
    テスト平均値
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB 考慮すべき理由
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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仕様

技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    29 left arrow 47
  • 読み出し速度、GB/s
    12.0 left arrow 9.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.1 left arrow 5.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2171 left arrow 1413

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