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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PBA 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PBA 8GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB

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相違点 仕様 コメント

相違点

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB 考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    28 left arrow 29
    周辺 -4% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    13.3 left arrow 12.1
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.4 left arrow 7.8
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PBA 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    29 left arrow 28
  • 読み出し速度、GB/s
    12.1 left arrow 13.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.8 left arrow 9.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2177 left arrow 2381

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