RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
AMD R744G2606U1S 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs AMD R744G2606U1S 4GB

総合得点
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

総合得点
star star star star star
AMD R744G2606U1S 4GB

AMD R744G2606U1S 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB 考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    24 left arrow 76
    周辺 68% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16 left arrow 15.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.5 left arrow 8.7
    テスト平均値
AMD R744G2606U1S 4GB 考慮すべき理由
AMD R744G2606U1S 4GB
バグを報告する

仕様

技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
AMD R744G2606U1S 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    24 left arrow 76
  • 読み出し速度、GB/s
    16.0 left arrow 15.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    12.5 left arrow 8.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2925 left arrow 1809

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAMの比較

Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB

AMD R744G2606U1S 4GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
メモリRAM
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
メモリRAM
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
メモリRAM
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
メモリRAM
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
メモリRAM
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
メモリRAM
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
メモリRAM
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
メモリRAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
メモリRAM
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
INTENSO 5641160 8GB
INTENSO 5641160 8GB
メモリRAM
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
メモリRAM
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
メモリRAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
メモリRAM