RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB

総合得点
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

総合得点
star star star star star
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB

Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB 考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    24 left arrow 81
    周辺 70% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16 left arrow 8.5
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.5 left arrow 5.6
    テスト平均値
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB 考慮すべき理由
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
バグを報告する

仕様

技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    24 left arrow 81
  • 読み出し速度、GB/s
    16.0 left arrow 8.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    12.5 left arrow 5.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2925 left arrow 1651

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAMの比較

Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB

Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
メモリRAM
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
メモリRAM
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
メモリRAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
メモリRAM
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
メモリRAM
Kingston 9905428-401.A00LF 8GB
Kingston 9905428-401.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
メモリRAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
メモリRAM
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
メモリRAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
メモリRAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
メモリRAM
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
メモリRAM
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
メモリRAM