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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
比較する
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
総合得点
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
16
15.9
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.5
12.4
テスト平均値
考慮すべき理由
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
バグを報告する
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
19200
周辺 1.11 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
24
24
読み出し速度、GB/s
16.0
15.9
書き込み速度、GB/秒
12.5
12.4
メモリ帯域幅、mbps
19200
21300
Other
商品説明
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
タイミング / クロック速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2925
2854
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAMの比較
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
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AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
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Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
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