RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Kingston K531R8-MIN 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB

Kingston K531R8-MIN 4GB vs Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB

総合得点
star star star star star
Kingston K531R8-MIN 4GB

Kingston K531R8-MIN 4GB

総合得点
star star star star star
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB

Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Kingston K531R8-MIN 4GB 考慮すべき理由
Kingston K531R8-MIN 4GB
バグを報告する
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB 考慮すべき理由
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    18.2 left arrow 13.4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    14.2 left arrow 9.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 12800
    周辺 1.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Kingston K531R8-MIN 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    28 left arrow 28
  • 読み出し速度、GB/s
    13.4 left arrow 18.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.0 left arrow 14.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2445 left arrow 3463

Kingston K531R8-MIN 4GB RAMの比較

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB

Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
メモリRAM
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
メモリRAM
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
メモリRAM
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
メモリRAM
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
メモリRAM
Kingston 9965426-405.A00LF 8GB
Kingston 9965426-405.A00LF 8GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
メモリRAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
メモリRAM