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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB vs V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB

総合得点
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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

総合得点
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V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB

V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB 考慮すべき理由
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    59 left arrow 63
    周辺 6% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 17
    テスト平均値
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB 考慮すべき理由
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
バグを報告する
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.8 left arrow 1,855.7
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 5300
    周辺 3.62 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    59 left arrow 63
  • 読み出し速度、GB/s
    4,168.0 left arrow 17.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,855.7 left arrow 8.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    680 left arrow 2061

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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
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Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
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メモリRAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
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メモリRAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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Kingston 9905744-011.A00G 32GB
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メモリRAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
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Kingston 9905678-041.A00G 4GB
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Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
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