RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
比較する
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
総合得点
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
総合得点
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
15.6
13.9
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
19200
周辺 1.33% 高帯域
考慮すべき理由
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
37
51
周辺 -38% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
12.2
11.8
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
51
37
読み出し速度、GB/s
15.6
13.9
書き込み速度、GB/秒
11.8
12.2
メモリ帯域幅、mbps
25600
19200
Other
商品説明
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
タイミング / クロック速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2687
2697
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB RAMの比較
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link