RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB

総合得点
star star star star star
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

総合得点
star star star star star
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB 考慮すべき理由
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 19.2
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    2,256.8 left arrow 15.6
    テスト平均値
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    25 left arrow 64
    周辺 -156% 低遅延
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 6400
    周辺 3.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    64 left arrow 25
  • 読み出し速度、GB/s
    4,651.3 left arrow 19.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,256.8 left arrow 15.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    837 left arrow 3803

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB RAMの比較

G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB

G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
メモリRAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
メモリRAM
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
メモリRAM
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
メモリRAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
メモリRAM
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
メモリRAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB
Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
メモリRAM
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
メモリRAM