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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB

総合得点
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

総合得点
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GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB

GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB 考慮すべき理由
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    35 left arrow 36
    周辺 3% 低遅延
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB 考慮すべき理由
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    18.5 left arrow 13.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    15.4 left arrow 9.6
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 12800
    周辺 1.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    35 left arrow 36
  • 読み出し速度、GB/s
    13.7 left arrow 18.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.6 left arrow 15.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2312 left arrow 3426

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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
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メモリRAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
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