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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
総合得点
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
総合得点
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
35
56
周辺 38% 低遅延
考慮すべき理由
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
20.1
13.7
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
10.5
9.6
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
12800
周辺 1.5 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
35
56
読み出し速度、GB/s
13.7
20.1
書き込み速度、GB/秒
9.6
10.5
メモリ帯域幅、mbps
12800
19200
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2312
2455
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Frequency (Mhz) *
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