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PNY Electronics PNY 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
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PNY Electronics PNY 2GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
総合得点
PNY Electronics PNY 2GB
総合得点
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
PNY Electronics PNY 2GB
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考慮すべき理由
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
14
27
周辺 -93% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
26.4
13.8
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
19.8
8.4
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
10600
周辺 1.6 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
PNY Electronics PNY 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
27
14
読み出し速度、GB/s
13.8
26.4
書き込み速度、GB/秒
8.4
19.8
メモリ帯域幅、mbps
10600
17000
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2274
4362
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Frequency (Mhz) *
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