RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB

PNY Electronics PNY 2GB vs Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB

総合得点
star star star star star
PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

総合得点
star star star star star
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB

Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

PNY Electronics PNY 2GB 考慮すべき理由
PNY Electronics PNY 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    13.8 left arrow 13.6
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.4 left arrow 6.9
    テスト平均値
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB 考慮すべき理由
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    22 left arrow 27
    周辺 -23% 低遅延
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 10600
    周辺 2.01 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
PNY Electronics PNY 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    27 left arrow 22
  • 読み出し速度、GB/s
    13.8 left arrow 13.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.4 left arrow 6.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2274 left arrow 2120

PNY Electronics PNY 2GB RAMの比較

Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB

Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB RAMの比較

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
メモリRAM
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
メモリRAM
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
メモリRAM
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
メモリRAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
メモリRAM
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
メモリRAM
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
メモリRAM
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
メモリRAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
メモリRAM
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
メモリRAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
メモリRAM