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PNY Electronics PNY 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
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PNY Electronics PNY 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
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PNY Electronics PNY 2GB
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Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
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考慮すべき理由
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
21
27
周辺 -29% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
17.6
13.8
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.2
8.4
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
10600
周辺 1.6 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
PNY Electronics PNY 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
27
21
読み出し速度、GB/s
13.8
17.6
書き込み速度、GB/秒
8.4
12.2
メモリ帯域幅、mbps
10600
17000
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2274
3126
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
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RAM 2
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
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Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
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SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
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