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Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
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Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB vs Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
総合得点
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
総合得点
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
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読み出し速度の高速化、GB/s
3
15.2
テスト平均値
考慮すべき理由
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
35
79
周辺 -126% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
12.6
1,468.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
6400
周辺 2.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
79
35
読み出し速度、GB/s
3,061.8
15.2
書き込み速度、GB/秒
1,468.1
12.6
メモリ帯域幅、mbps
6400
17000
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
422
3150
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB RAMの比較
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
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Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
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