RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
比較する
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
総合得点
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
総合得点
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
25
37
周辺 32% 低遅延
考慮すべき理由
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
15.4
15.3
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.5
9.8
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
12800
周辺 1.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
25
37
読み出し速度、GB/s
15.3
15.4
書き込み速度、GB/秒
9.8
12.5
メモリ帯域幅、mbps
12800
21300
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2646
3075
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB RAMの比較
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB RAMの比較
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Samsung M471B1G73BH0-YH9 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link