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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
比較する
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
総合得点
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
総合得点
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
25
28
周辺 11% 低遅延
考慮すべき理由
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
17.1
16.1
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
14.1
10.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
12800
周辺 1.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
25
28
読み出し速度、GB/s
16.1
17.1
書き込み速度、GB/秒
10.1
14.1
メモリ帯域幅、mbps
12800
21300
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2764
3379
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAMの比較
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
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