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Samsung M3 78T2863RZS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD21G8002 1GB

Samsung M3 78T2863RZS-CF7 1GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD21G8002 1GB

総合得点
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Samsung M3 78T2863RZS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863RZS-CF7 1GB

総合得点
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD21G8002 1GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD21G8002 1GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M3 78T2863RZS-CF7 1GB 考慮すべき理由
Samsung M3 78T2863RZS-CF7 1GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD21G8002 1GB 考慮すべき理由
Patriot Memory (PDP Systems) PSD21G8002 1GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    50 left arrow 54
    周辺 -8% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    5 left arrow 4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    2,195.7 left arrow 1,926.6
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T2863RZS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD21G8002 1GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR2
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    54 left arrow 50
  • 読み出し速度、GB/s
    4,419.9 left arrow 5,014.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,926.6 left arrow 2,195.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 6400
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    662 left arrow 965

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