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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
総合得点
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
総合得点
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
2
15.5
テスト平均値
考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
33
46
周辺 -39% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
13.3
1,519.2
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
3200
周辺 5.31 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
46
33
読み出し速度、GB/s
2,909.8
15.5
書き込み速度、GB/秒
1,519.2
13.3
メモリ帯域幅、mbps
3200
17000
Other
商品説明
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
241
3131
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
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