RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB

Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB vs SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB

Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB

総合得点
star star star star star
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB

SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB 考慮すべき理由
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 15.6
    テスト平均値
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    29 left arrow 52
    周辺 -79% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.9 left arrow 1,906.4
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    23400 left arrow 6400
    周辺 3.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    52 left arrow 29
  • 読み出し速度、GB/s
    4,672.4 left arrow 15.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,906.4 left arrow 12.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 23400
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    698 left arrow 3093

Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB RAMの比較

Samsung M3 91T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M3 78T2953GZ3-CF7 1GB

SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
メモリRAM
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
メモリRAM
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
メモリRAM
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
メモリRAM
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
メモリRAM
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
メモリRAM
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
メモリRAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
メモリRAM
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
メモリRAM
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
メモリRAM
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
メモリRAM
AMD R5316G1609U2K 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
メモリRAM