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Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
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Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB vs Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
総合得点
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
総合得点
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
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考慮すべき理由
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
29
35
周辺 -21% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
17.4
14.9
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.8
10.1
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
35
29
読み出し速度、GB/s
14.9
17.4
書き込み速度、GB/秒
10.1
12.8
メモリ帯域幅、mbps
17000
17000
Other
商品説明
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
タイミング / クロック速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2613
3113
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB RAMの比較
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
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