RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

総合得点
star star star star star
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB

A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB 考慮すべき理由
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
バグを報告する
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB 考慮すべき理由
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    25 left arrow 28
    周辺 -12% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    19 left arrow 12.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    14.9 left arrow 7.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 8500
    周辺 2.51 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    28 left arrow 25
  • 読み出し速度、GB/s
    12.7 left arrow 19.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.5 left arrow 14.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    8500 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1988 left arrow 3683

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAMの比較

Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB

A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
メモリRAM
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
メモリRAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
メモリRAM
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
メモリRAM
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
メモリRAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
メモリRAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
メモリRAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
メモリRAM
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
メモリRAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
メモリRAM