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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
総合得点
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
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考慮すべき理由
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
26
35
周辺 -35% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
17.7
14.4
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
14.0
9.5
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
10600
周辺 2.01 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
35
26
読み出し速度、GB/s
14.4
17.7
書き込み速度、GB/秒
9.5
14.0
メモリ帯域幅、mbps
10600
21300
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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Frequency (Mhz) *
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